PREDIP S-3

프로세스

  • 은 치환 방지

설명

  • 고속 은도금 프로세스의 전처리제로서 Cu 표면에 Ag가 치환되는 것을 방지
  • 특히 IC, LSI, Lead Frame 등의 반도체 주변 및 커넥터, 접점, 스위치 등의 분야에 폭넓게 사용
  • 전기 전도가 좋아서 넓은 전류 범위로 적용 및 양극 음극 모두 사용 가능

장점

  • 동 또는 동합금 표면의 마스킹의 누락으로 발생되는 은의 치환을 방지
  • 치환 방지에 의해 균일한 은도금층을 얻음
  • 저렴한 비용으로 뛰어난 치환 방지 효과를 얻음
  • 밀착성이 떨어지는 은도금을 방지할 수 있음